第379章 ps<b />
不是我不一次性说完，而是我每说一句话，你都要打断我发表一点儿什么意见，利诺奇卡心想。<b />
“煤油？煤油的热值是要比酒精高，啊哈，难道这就是原因？”<b />
部长同志这才有些释然。<b />
并不是他一定要找点什么原因才能让自己高兴，而是这些情况单独看起来都不算什么，可是全部组合到一起，就多少有一些让人惊讶了。<b />
更大的射程，更大的战斗部，同等的尺寸和重量，这说明对方一定有什么自己不知道的技术。<b />
“部长同志，我们要不要试一试把p-15的酒精换成煤油？”<b />
p-15，就是544导弹。<b />
“噢，不！基层的达瓦里氏们会抱怨的，至少现在的p-15不能换！他们已经习惯维护这种导弹了，不是么？”<b />
不得不说，作为部长，还是非常体恤一线基层的同志的。<b />
咱们正毛旗的兵，就爱维护酒精燃料！<b />
“利诺奇卡同志，如果那边还有什么新的消息，一定要早一点告诉我。顺便告诉卢比扬卡的同志，他们需要付出更多努力了！”部长同志总是觉得其中有哪里不对，但是又不知道哪里不对。<b />
——<b />
老毛子的纠结，高振东并不知道，他正在纠结自己的事情。<b />
其实也不是纠结，只是在繁杂的工艺中选出一条合适的路来。<b />
虽然已经选定了s技术，可是s技术也有ps（p沟道s）、ns（n沟道s）、s（互补s）等等。<b />
这些技术的每一道工序，又有不同的选择。<b />
就好像搭积木，要搭出一个公园来，有不同的搭法，正所谓杀猪杀屁股，各有各的杀法。<b />
不过在s的种类上，高振东倒是没什么好纠结的，ps直接上就行了，作为最早的s技术，自然是有他的优点的。<b />
猜猜它为什么最早？简单啊！<b />
ps只需要五次光刻就能搞定。<b />
p区光刻、栅光刻、接触光刻、金属光刻、压焊块光刻，并在每次光刻中间加上不同的淀积或者氧化工序。<b />
分别形成p区、栅极、对外接触孔、芯片内布线和封装时用的引出焊点。<b />
而且，其中掩膜需要严格对准套刻的，只有第二次栅光刻，其他时候的对准要求都不是那么高，这就让手上的技术条件有限，捉襟见肘的高振东感到很舒服。<b />
抛开封装，只是从硅片到布满成品芯片核心（die）的半成品，只需要12步工艺，就这，还包括准备硅片那一步工艺。<b />
甚至不想要钝化那一步的话，只要前4次光刻就足够了，与之相应的工艺也减少到了10步。<b />
这是真的简单，而且对材料的要求也不高。<b />
只需要考虑引入三种元素。<b />
——形成氧化保护层的氧、形成栅极的硼、还有形成金属导线的铝。<b />
其中铝都不用考虑掺杂扩散的问题，只是用于沉积。<b />
某退休老头：真是太好玩儿了.jp。<b />
而ns和s的难度，可就比ps大多了，ps别的不说，至少做逻辑集成电路没问题，而且，这玩意10μ的制程是能做8008的，其实做更高的制程也没问题。<b />
选定了ps，高振东很快就把工艺路线给确定下来了。<b />
不要最后一步钝化，4次光刻，只到金属光刻完成为止。<b />
至于为什么选这个，当然是因为简单了，而且他一开始是做比较粗的制程的，这个程度也就够了。<b />
而且，少这一步，成本也会下降。<b />
先把逻辑门电路拿出来，支撑住djs-60d的生产，然后再去搞更好的。<b />
先解决有没有，再解决好不好。<b />
选定了这些，抄起书来，那就快了，高振东了一个下午飞快的把书抄完，第二天一个电话打给了已经有点儿望眼欲穿的1274厂。<b />
一个多小时过后，吕厂长和鲁总工带着人联袂而至，就等着这一天呢。<b />
看着高振东给出的工艺设计指导文件，两人有点懵，这玩意比起原来的，怎么还变薄了？<b />
先进技术，必定复杂，一旦复杂，那资料就会很厚，大家都这么想。<b />